英集芯IP6822無線充發(fā)射15W配套MOS管N+P通道增強AP20G02BDF耐壓20V封裝PDFN3*3-8L
AP20G02BDF 面議粉碎設(shè)備 混合設(shè)備 分離設(shè)備 濃縮結(jié)晶設(shè)備 傳質(zhì)設(shè)備 干燥設(shè)備 反應(yīng)設(shè)備 換熱設(shè)備 制冷設(shè)備 空分設(shè)備 儲存設(shè)備 鍋爐|加熱設(shè)備 包裝機械 輸送設(shè)備 化工實驗室設(shè)備
深圳市諾芯盛科技有限公司
參 考 價 | 面議 |
產(chǎn)品型號AGM312MAP
品 牌
廠商性質(zhì)其他
所 在 地深圳市
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更新時間:2024-12-11 17:29:31瀏覽次數(shù):25次
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產(chǎn)品品牌 : AGM;類別: 廠商型號 : AGM312MAP 封裝規(guī)格 : ......
產(chǎn)品屬性 | 屬性值 |
---|---|
產(chǎn)品分類 : | MOS |
產(chǎn)品品牌 : | AGM |
產(chǎn)品型號 : | AGM312MAP |
包裝數(shù)量 : | 5000 PCS |
包裝方式 : | 真空卷帶 |
封裝規(guī)格 : | PDFN3.3*3.3 |
AGM312MAP用于無線充15W發(fā)射方案N+P MOS管簡要參數(shù):
屬性 | 參數(shù)值 |
商品目錄 | 場效應(yīng)管(MOSFET) |
類型 | N溝道+P溝道 |
漏源電壓(Vdss) | 30V |
連續(xù)漏極電流(Id) | 18A;18A |
功率(Pd) | 3.6W |
導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 17mΩ@10V,10A;24mΩ@10V,10A |
閾值電壓(Vgs(th)@Id) | 1.5V@250uA |
柵極電荷(Qg@Vgs) | 4.1nC@4.5V;12nC@10V |
輸入電容(Ciss@Vds) | 440pF@25V;860pF@15V |
反向傳輸電容(Crss@Vds) | 32pF@15V |
工作溫度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
AGM312MAP用于無線充15W發(fā)射方案N+P MOS管結(jié)構(gòu)圖示:
AGM312MAP用于無線充15W發(fā)射方案N+P MOS管重要參數(shù):
AGM312MAP用于無線充15W發(fā)射方案N+P MOS管典型參數(shù)特性:
AGM312MAP用于無線充15W發(fā)射方案N+P MOS管包裝信息說明:
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