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深圳市諾芯盛科技有限公司


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AGM312MAP場效應(yīng)管(MOSFET)N+P 漏源電壓(Vdss)30V用于英集芯IP6821無線充15W發(fā)射方案

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產(chǎn)品型號AGM312MAP

品       牌

廠商性質(zhì)其他

所  在  地深圳市

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更新時間:2024-12-11 17:29:31瀏覽次數(shù):25次

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產(chǎn)品簡介

產(chǎn)品品牌 : AGM;類別: 廠商型號 : AGM312MAP 封裝規(guī)格 : ......

詳細介紹

產(chǎn)品屬性屬性值
產(chǎn)品分類 : MOS
產(chǎn)品品牌 : AGM
產(chǎn)品型號 : AGM312MAP
包裝數(shù)量 : 5000 PCS
包裝方式 : 真空卷帶
封裝規(guī)格 : PDFN3.3*3.3

AGM312MAP用于無線充15W發(fā)射方案N+P MOS管簡要參數(shù):

屬性
參數(shù)值
商品目錄場效應(yīng)管(MOSFET)
類型N溝道+P溝道
漏源電壓(Vdss)30V
連續(xù)漏極電流(Id)18A;18A
功率(Pd)3.6W
導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id)17mΩ@10V,10A;24mΩ@10V,10A
閾值電壓(Vgs(th)@Id)1.5V@250uA
柵極電荷(Qg@Vgs)4.1nC@4.5V;12nC@10V
輸入電容(Ciss@Vds)440pF@25V;860pF@15V
反向傳輸電容(Crss@Vds)32pF@15V
工作溫度-55℃~+150℃@(Tj)


AGM312MAP用于無線充15W發(fā)射方案N+P MOS管結(jié)構(gòu)圖示:

微信圖片_20240410105059


AGM312MAP用于無線充15W發(fā)射方案N+P MOS管重要參數(shù):

微信圖片_20240410105048

AGM312MAP用于無線充15W發(fā)射方案N+P MOS管典型參數(shù)特性:

微信圖片_20240410105359


AGM312MAP用于無線充15W發(fā)射方案N+P MOS管包裝信息說明:

微信圖片_20240410105346


更多關(guān)于AGM312MAP無線充15W發(fā)射方案N+P MOS管信息,請聯(lián)系諾芯盛科技獲取,可提供樣品及無線充電方案設(shè)計等


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