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聯(lián)系我時(shí)，請(qǐng)告知來自 化工機(jī)械設(shè)備網(wǎng)化學(xué)束外延起源于上個(gè)世紀(jì)80年代，它結(jié)合了分子束外延（MBE）和化學(xué)氣相沉積（CVD）技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)，適用于生長(zhǎng)III-V族半導(dǎo)體薄膜，也可以用于Si,SixGe1-x,FeSi2薄膜沉積,以及氧化物薄膜，包括但不限于LiTaO3,超導(dǎo)氧化物,TiO2,Al2O3,摻鉺Al2O3,Y2O3,CdO,HfO2,LiNbO3,MgO,ErSiO,ZnO,ZrO2等
化學(xué)束外延起源于上個(gè)世紀(jì)80年代，它結(jié)合了分子束外延（MBE）和化學(xué)氣相沉積（CVD）技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)，適用于生長(zhǎng)III-V族半導(dǎo)體薄膜，也可以用于Si, SixGe1-x, FeSi2薄膜沉積, 以及氧化物薄膜，包括但不限于LiTaO3, 超導(dǎo)氧化物, TiO2, Al2O3, 摻鉺Al2O3, Y2O3, CdO, HfO2, LiNbO3, MgO, ErSiO, ZnO, ZrO2等。
化學(xué)束外延借用CVD（反應(yīng)前驅(qū)體分子通過氣相傳輸?shù)郊訜嵋r底上）及MBE（前驅(qū)體流分子束本質(zhì)——分子軌跡視線）的概念。一般說來，化學(xué)束外延的真正價(jià)值在過去并未得到承認(rèn)，大多數(shù)熟悉這種技術(shù)的人都發(fā)現(xiàn)化學(xué)束外延很復(fù)雜，并且上世紀(jì)90年代化學(xué)束外延的各種優(yōu)勢(shì)的結(jié)合未被*挖掘，而這種結(jié)合卻是現(xiàn)在制造復(fù)雜設(shè)備的關(guān)鍵所在。目前，我們代理的設(shè)備是經(jīng)過20年的持續(xù)不斷研發(fā)，將設(shè)簡(jiǎn)單易用、工藝優(yōu)化、所有的優(yōu)點(diǎn)和設(shè)施集中于一套可靠的設(shè)備中。
實(shí)驗(yàn)證明化學(xué)束外延具有顯著的優(yōu)點(diǎn)，例如：
• 可控多元素材料沉積及摻雜，例如GaAsInP
• 6’’襯底均勻性：無旋轉(zhuǎn)+/-1.5%，旋轉(zhuǎn)+/-0.5% • 沉積大面積薄膜：直徑100mm - 450mm或更大
• 前驅(qū)體轉(zhuǎn)化率高，生長(zhǎng)速率10 nm/h至20μm/h • 歐盟項(xiàng)目支撐: 3D-DEMO, NUOTO, NANOBIUM
• 已經(jīng)商業(yè)化薄膜: TiO2, Al2O3, Ta2O5, Nb2O5, HfO2 • 超高真空原位診斷技術(shù)、自組裝結(jié)構(gòu)、工藝溫度很低
• 可以一步實(shí)現(xiàn)復(fù)雜形狀和（成分/厚度）梯度薄膜材料 • 無氣相反應(yīng)、工藝靈活（從外延生長(zhǎng)到高度多孔材料）
• （激光，EUV，X-ray）光束/離子束/電子束輔助沉積， 用于3D打印、復(fù)雜材料堆棧、
組織/晶相/成分選擇性調(diào)控、 改善外延和材料性能、降低熱應(yīng)力和晶格失配
設(shè)備配置：
1. 熱漆外框架容納所有元件，標(biāo)準(zhǔn)RAL7035顏色； 2. 支持多達(dá)6種前驅(qū)體，專有熱源技術(shù)可達(dá)200℃；
3. 主要反應(yīng)腔體采用可調(diào)熱內(nèi)壁，圓柱形液氮冷阱圍繞樣品臺(tái)；可遠(yuǎn)程控制，電腦監(jiān)控各種參數(shù)；
4. 輻射加熱襯底溫度可達(dá)700℃，其他加熱器支持襯底溫度可達(dá)1400℃；
5. 真空系統(tǒng)用組合泵：250l/s分子泵+10m3/h干泵； 6. 配備全自動(dòng)Load-Lock，等離子體清洗功能可選。
7. 在樣品生長(zhǎng)過程中激光/電子/離子束輻照單元。
8. 可逆組裝：（無襯底旋轉(zhuǎn)）均勻性優(yōu)于±2%，（有襯底旋轉(zhuǎn)）均勻性優(yōu)于+/-0.5%；組合配置用以生長(zhǎng)梯度樣品：
厚度梯度支持1個(gè)前驅(qū)體，化學(xué)成分梯度支持2-6個(gè)。兩種方式通過程序控制切換。
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