氧化銦錫光電應用納米級分散機

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更新時間：2023-01-01 15:23:19瀏覽次數(shù)：85次

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產(chǎn)品簡介

氧化銦錫光電應用納米級分散機具有精細度遞升的三級鋸齒突起和凹槽。定子可以無限制的被調(diào)整到所需要的轉(zhuǎn)子之間距離。在增強的流體湍流下。凹槽在每級口可以改變方向。

詳細介紹

氧化銦錫光電應用納米級分散機

ITO導電漿料納米均質(zhì)機，ito納米均質(zhì)機,是在定、轉(zhuǎn)子狹窄的間隙中受到強烈的機械及液力剪切、離心擠壓、液層摩擦、撞擊撕裂和湍流等綜合作用，形成懸浮液（固/液）

ito ITO 是一種N型氧化物半導體-氧化銦錫,ITO薄膜即銦錫氧化物半導體透明導電膜，通常有兩個性能指標:電阻率和透光率作為納米銦錫金屬氧化物，具有很好的導電性和透明性，可以切斷對人體有害的電子輻射、紫外線及遠紅外線。因此，銦錫氧化物通常噴涂在玻璃、塑料及電子顯示屏上，用作透明導電薄膜，同時減少對人體有害的電子輻射及紫外、紅外。

在氧化物導電膜中，以摻Sn的In2O3(ITO)膜的透過率zui高和導電性能*，而且容易在酸液中蝕刻出細微的圖形，其中透光率達90%以上。ITO中其透光率和阻值分別由In2O3與SnO2之比例來控制，通常SnO2:In2O3=1:9。因為氧化錫之厚度超過200-時，通常透明度已不夠好---雖然導電性能很好

對導電漿料的要求，第yi是分散均勻性，如果漿料分散不均，有嚴重的團聚現(xiàn)象，電池的電化學性能受到影響，如若導電劑分布不均勻，電極在充放電過程中，各處電導率不同會發(fā)生不同的電化學反應，負極處可能產(chǎn)生較復雜的 SEI膜，可逆容量減小，并伴有局部的過充過放現(xiàn)象或有可能會有鋰金屬析出，形成安全隱患;粘結(jié)劑分布不均，顆粒之間、顆粒與集流體之間粘結(jié)力出現(xiàn)過大過小的情況，過小部位電極內(nèi)阻大，甚至會掉料，zui終影響整個電池容量的發(fā)揮。第二，漿料需要具有良好的沉降穩(wěn)定性和流變特性，滿足極片涂布工藝的要求，并得到厚度均一的涂層，要求電池極片眾心的厚度要和邊緣處的厚度盡量保持一致，這是導電漿料涂布工藝的難點。

研磨分散機是由膠體磨分散機組合而成的高科技產(chǎn)品。

一級由具有精細度遞升的三級鋸齒突起和凹槽。定子可以無限制的被調(diào)整到所需要的轉(zhuǎn)子之間距離。在增強的流體湍流下。凹槽在每級口可以改變方向。
第二級由轉(zhuǎn)定子組成。分散頭的設計也很好的滿足不同粘度的物質(zhì)以及顆粒粒徑的需要。在線式的定子和轉(zhuǎn)子（乳化頭）和批次式機器的工作頭設計的不同主要是因為在對輸送性的要求方面，特別要引起注意的是：在粗精度、中等精度、細精度和其他一些工作頭類型之間的區(qū)別不光是轉(zhuǎn)子齒的排列，還有一個很重要的區(qū)別是不同工作頭的幾何學征不一樣。狹槽寬度以及其他幾何學特征都能改變定子和轉(zhuǎn)子工作頭的不同功能。

以下為型號表供參考：

型號	標準流量 L/H	輸出轉(zhuǎn)速 rpm	標準線速度 m/s	馬達功率 KW	進口尺寸	出口尺寸
XMD2000/4	400	18000	44	4	DN25	DN15
XMD2000/5	1500	10500	44	11	DN40	DN32
XMD2000/10	4000	7200	44	22	DN80	DN65
XMD2000/20	10000	4900	44	45	DN80	DN65
XMD2000/30	20000	2850	44	90	DN150	DN125
XMD2000/50	60000	1100	44	160	DN200	DN150