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深圳維爾克斯光電有限公司
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激光器被動(dòng)調(diào)Q開(kāi)關(guān)晶體

參  考  價(jià)面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

產(chǎn)品型號(hào)Co:Spinel

品       牌

廠(chǎng)商性質(zhì)代理商

所  在  地深圳市

更新時(shí)間:2020-11-13 14:03:43瀏覽次數(shù):215次

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激光器被動(dòng)調(diào)Q開(kāi)關(guān)晶體和可飽和吸收體一樣,可以被用作被動(dòng)調(diào)Q激光器中的激光諧振腔質(zhì)量調(diào)制器,其工作原理不同于主動(dòng)調(diào)Q方式的電控調(diào)制器。通常,這些吸收材料的飽和通量(單位面積的飽和能量)很低,它們?cè)诰劢构馐惺褂脮r(shí)會(huì)進(jìn)一步降低飽和能量(飽和通量乘以光束面積)。

激光器被動(dòng)調(diào)Q開(kāi)關(guān)晶體

Cr4 +:YAG晶體中文名摻鉻釔鋁石榴石是波長(zhǎng)在0.8至1,2μm激光器(Nd:YAG和其他摻雜Nd或Yb)Q開(kāi)關(guān)的理想材料。 Cr4 +:YAG有一個(gè)顯著的特征就是其高損傷閾值500-1000 MW / cm2。它的吸收帶從800 nm延伸到1200 nm,在1060nm左右達(dá)到峰值,吸收峰截面積非常大。

V:YAG晶體中文名摻釩釔鋁石榴石是一種相對(duì)較新的晶體材料,適宜于1.06~1.44 μm激光發(fā)射,特別適應(yīng)于1.3μm Nd激光器。在1300 nm左右的吸收峰附近,激發(fā)態(tài)的吸收峰截面不明顯。這種材料具有優(yōu)異的光學(xué)、力學(xué)和熱性能??梢杂肅zochralski法生產(chǎn)。V:YAG晶體用于Nd:YAG、Nd:YAP、Nd:KGW、Nd:YVO 4等多種有源介質(zhì)中,可獲得結(jié)構(gòu)緊湊、性能優(yōu)良的被動(dòng)調(diào)Q激光器。

Co:Spinel晶體中文名叫鈷尖晶石是一種新型發(fā)展的材料,發(fā)射波長(zhǎng)范圍在1.2-1.6μm,已經(jīng)被證明是一種非常有效的被動(dòng)調(diào)Q開(kāi)關(guān)。它被廣泛用于對(duì)眼睛安全的Er:glass激光器(1.54 µm),并且在波長(zhǎng)1.44 µm和1.34 µm的激光器上得到驗(yàn)證。Co:Malo(Co:尖晶石)具有高吸收截面,使得Er:玻璃激光器(閃光燈和二極管激光泵浦)的Q開(kāi)關(guān),無(wú)需腔內(nèi)聚焦,可忽略激發(fā)態(tài)吸收,導(dǎo)致Q開(kāi)關(guān)的對(duì)比度高,即初始與飽和吸收信號(hào)的比率高于10。

激光器被動(dòng)調(diào)Q開(kāi)關(guān)晶體和可飽和吸收體一樣,可以被用作被動(dòng)調(diào)Q激光器中的激光諧振腔質(zhì)量調(diào)制器,其工作原理不同于主動(dòng)調(diào)Q方式的電控調(diào)制器。通常,這些吸收材料的飽和通量(單位面積的飽和能量)很低,它們?cè)诰劢构馐惺褂脮r(shí)會(huì)進(jìn)一步降低飽和能量(飽和通量乘以光束面積)。立陶宛Optogama公司旗下的 4Lasers部門(mén)有三款成熟的被動(dòng)調(diào)Q晶體:Cr:YAG crystals、V:YAG crystals、Co:Spinel crystals。

Cr:YAG晶體主要特點(diǎn):

-500-1000 MW / cm2的高損傷閾值

-高穩(wěn)定化學(xué)性和可靠性

-導(dǎo)熱性好,壽命長(zhǎng)

-緊湊型無(wú)源Q開(kāi)關(guān)

-操作容易

Cr:YAG晶體主要應(yīng)用:

       -用于激光測(cè)距儀,LIDAR和LIBS系統(tǒng)的無(wú)源調(diào)Q激光器

-需要短脈沖的激光系統(tǒng)。

Cr:YAG晶體技術(shù)特性:

晶體結(jié)構(gòu)

立方體

密度

4,56克/厘米3

熱膨脹系數(shù)

6.14×10-6 K-1

熱導(dǎo)率

11,2 Wm-1K-1

莫氏硬度

8,2

折射率

1,82@1064NM

Cr:YAG晶體產(chǎn)品規(guī)格:

可用初始透射率

5-99%@1064 nm

初始傳輸誤差

±1%(大于80%)

通光孔徑

>90%

面尺寸公差

+0/-0.1毫米

平行度誤差

<10 arcsec

垂直度誤差

<10 arcmin

保護(hù)槽

<0,1 mm at 45?

 AR膜層

r<0,15%@1064 nm

表面質(zhì)量

10-5 S-D

表面平整度

<λ/8@6328 nm

波前畸變

<λ/4@632,8

激光損傷閾值

>10 J/cm2@1064 nm,10 ns

 

Cr:YAG晶體產(chǎn)品型號(hào)

SKU

面尺寸

初始傳輸

增透膜

價(jià)格 (RMB)

7279

?3毫米

20%

AR/Ar@1064NM

1900

7280

?3毫米

30%

AR/Ar@1064NM

1900

7281

?3毫米

40%

AR/Ar@1064NM

1900

7282

?3毫米

50%

AR/Ar@1064NM

1900

7283

?3毫米

60%

AR/Ar@1064NM

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?3毫米

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AR/Ar@1064NM

1900

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?3毫米

80%

AR/Ar@1064NM

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?3毫米

85%

AR/Ar@1064NM

1900

7287

?3毫米

90%

AR/Ar@1064NM

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?3毫米

95%

AR/Ar@1064NM

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98%

AR/Ar@1064NM

1900

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3x3毫米

20%

AR/Ar@1064NM

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3x3毫米

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AR/Ar@1064NM

1900

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3x3毫米

40%

AR/Ar@1064NM

1900

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3x3毫米

50%

AR/Ar@1064NM

1900

7294

3x3毫米

60%

AR/Ar@1064NM

1900

7295

3x3毫米

70%

AR/Ar@1064NM

1900

7296

3x3毫米

80%

AR/Ar@1064NM

1900

7297

3x3毫米

85%

AR/Ar@1064NM

1900

7298

3x3毫米

90%

AR/Ar@1064NM

1900

7299

3x3毫米

95%

AR/Ar@1064NM

1900

7300

3x3毫米

98%

AR/Ar@1064NM

1900

7301

?6 mm

20%

AR/Ar@1064NM

2150

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AR/Ar@1064NM

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AR/Ar@1064NM

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AR/Ar@1064NM

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?6 mm

60%

AR/Ar@1064NM

2150

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?6 mm

70%

AR/Ar@1064NM

2150

7307

?6 mm

80%

AR/Ar@1064NM

2150

7308

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85%

AR/Ar@1064NM

2150

7309

?6 mm

90%

AR/Ar@1064NM

2150

7310

?6 mm

95%

AR/Ar@1064NM

2150

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?6 mm

98%

AR/Ar@1064NM

2150

 

V:YAG晶體主要特點(diǎn):

-高基態(tài)吸收

-不明顯激發(fā)態(tài)吸收

-Q開(kāi)關(guān)的高對(duì)比度

-良好的光學(xué)、力學(xué)和熱性能

-耐紫外線(xiàn)高損傷閾值(>500 mW/cm)2)

V:YAG晶體主要應(yīng)用:

-用于激光測(cè)距儀、激光雷達(dá)和LIBS系統(tǒng)的被動(dòng)調(diào)Q激光器

V:YAG晶體技術(shù)特性:

晶體結(jié)構(gòu)

立方體

密度

4,56克/厘米3

熱膨脹系數(shù)

6.14×10-6 K-1

熱導(dǎo)率

11,2 Wm-1K-1

Mohs硬度

8,2

折射率

1,82@1064NM

V:YAG晶體產(chǎn)品規(guī)格:

可用初始傳輸

30-98%@1340 nm

初始傳輸誤差

±1%(大于80%)

通光孔徑

>90%

面尺寸公差

+0/-0,1毫米

平行度誤差

<20 arcsec

垂直度誤差

<10 arcmin

保護(hù)槽

<0,1 mm at 45?

Ar涂層

r<0,2%@1310-1360 nm

表面質(zhì)量

10-5 S-D

表面平整度

<λ/8@6328 nm

波前畸變

<λ/4@632,8

激光損傷閾值

>10 J/cm2@1064 nm,10 ns

 

V:YAG晶體產(chǎn)品型號(hào):

SKU

面尺寸

初始傳輸

價(jià)格 (RMB)

7312

3x3毫米

30%

5100

7313

3x3毫米

40%

5100

7314

3x3毫米

50%

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7320

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5100

7321

?5毫米

30%

5100

7322

?5毫米

40%

5100

7323

?5毫米

50%

5100

7324

?5毫米

60%

5100

7325

?5毫米

70%

5100

7326

?5毫米

80%

5100

7327

?5毫米

85%

5100

7328

?5毫米

90%

5100

7329

?5毫米

95%

5100

 

Co:Spinel晶體的主要特點(diǎn):

-1.3至1.6m范圍內(nèi)的低光學(xué)損耗

-高光損傷閾值

Co:Spinel晶體的主要應(yīng)用:

-無(wú)源Q開(kāi)關(guān)Er:玻璃@1.54m

Co:Spinel晶體的技術(shù)特性:

晶體結(jié)構(gòu)

立方體

密度

3,58克/厘米3

熱膨脹系數(shù)

6,14×10-6 K-1

熱導(dǎo)率

17 Wm-1K-1

Mohs硬度

8

折射率

1,6-1,75

Co:Spinel晶體的產(chǎn)品規(guī)格:

有效初裂

50-99%@1535 nm

初始傳輸誤差

±1%(大于80%)

有效孔徑

>90%

面尺寸公差

+0/-0.1毫米

平行度誤差

<20 arcsec

垂直度誤差

<10 arcmin

保護(hù)槽

<0,1 mm at 45?

AR膜層

r<0.15%@1535 nm

表面質(zhì)量

20-10 S-D

表面平整度

<λ/8@6328 nm

波前畸變

<λ/4@632,8 nm,通過(guò)透明光圈

激光損傷閾值

>8J/cm2@1535 nm,10 ns

 

Co:Spinel晶體的產(chǎn)品型號(hào):

SKU

面尺寸

初始傳輸

增透膜

價(jià)格 (RMB)

7330

3x3毫米

70%

AR/Ar@1535NM

4150

7331

3x3毫米

80%

AR/Ar@1535NM

4150

7332

3x3毫米

85%

AR/Ar@1535NM

4150

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3x3毫米

90%

AR/Ar@1535NM

4150

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3x3毫米

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AR/Ar@1535NM

4150

7335

3x3毫米

95%

AR/Ar@1535NM

4150

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3x3毫米

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AR/Ar@1535NM

4150

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5x5毫米

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AR/Ar@1535NM

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5x5毫米

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AR/Ar@1535NM

4600

7339

5x5毫米

85%

AR/Ar@1535NM

4600

7340

5x5毫米

90%

AR/Ar@1535NM

4600

7341

5x5毫米

92%

AR/Ar@1535NM

4600

7342

5x5毫米

95%

AR/Ar@1535NM

4600

7343

5x5毫米

97%

AR/Ar@1535NM

4600

7802

3x3毫米

98.5%@1522 nm

HT@976NM+HR@1522NM/HT@976NM+Ar@1522NM

6400

 

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