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鹵素?zé)鬜TP退火爐

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更新時(shí)間:2022-11-06 15:16:39瀏覽次數(shù):206次

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聯(lián)系人:汪紀(jì)彬

產(chǎn)品簡(jiǎn)介

簡(jiǎn)單介紹: 鹵素?zé)鬜TP退火爐是一款6寸片快速退火爐,采用革新的加熱技術(shù),可實(shí)現(xiàn)真正的基底溫度測(cè)量,不需要采用傳統(tǒng)快速退火爐的溫度補(bǔ)償,溫度控制**,溫度重復(fù)性高,客戶包括國(guó)際上許多半導(dǎo)體公司及科研團(tuán)隊(duì),是半導(dǎo)體制程退火工藝的理想選擇

詳細(xì)介紹

詳情介紹:

鹵素?zé)鬜TP退火爐是一款6寸片快速退火爐,采用革新的加熱技術(shù),可實(shí)現(xiàn)真正的基底溫度測(cè)量,不需要采用傳統(tǒng)快速退火爐的溫度補(bǔ)償,溫度控制**,溫度重復(fù)性高,客戶包括國(guó)際上許多半導(dǎo)體公司及科研團(tuán)隊(duì),是半導(dǎo)體制程退火工藝的理想選擇.

鹵素?zé)鬜TP退火爐技術(shù)特色:

 ? 真正的基片溫度測(cè)量,無(wú)需傳統(tǒng)的溫度補(bǔ)償

? 紅外鹵素管燈加熱

? 極其優(yōu)異的加熱溫度**性與均勻性

? 快速數(shù)字PID溫度控制

? 不銹鋼冷壁真空腔室

? 系統(tǒng)穩(wěn)定性好

? 結(jié)構(gòu)緊湊,小型桌面系統(tǒng)

? 帶觸摸屏的PC控制

? 兼容常壓和真空環(huán)境,真空度標(biāo)準(zhǔn)值為5×10-3Torr,采用二級(jí)分子泵真空度低至5×10-6Torr

? *高3路氣體(MFC控制)

? 沒(méi)有交叉污染,沒(méi)有金屬污染

真實(shí)基底溫度測(cè)量技術(shù)介紹:

如上圖,由陣列式鹵素?zé)糨椛涑鰺崃拷?jīng)過(guò)石英窗口到達(dá)樣品表面,樣品被加熱,傳統(tǒng)的快速退火爐采用熱電偶進(jìn)行測(cè)量基片溫度,由于熱電偶與基片有一定距離,測(cè)量的不是基片真實(shí)的溫度,必須進(jìn)行溫度補(bǔ)償。

 

  鹵素?zé)?span>RTP退火爐采用專用的一根片狀的Real T/C KIT進(jìn)行測(cè)溫,如上圖,接觸測(cè)溫儀與片狀Real T/C KIT相連,工作時(shí)片狀Real T/C KIT位于樣品上方很近的位置,陣列式鹵素?zé)糨椛涑鰺崃拷?jīng)過(guò)石英窗口到達(dá)樣品表面,樣品被加熱,片狀Real T/C KIT同時(shí)被加熱,由于基片與Real T/C KIT很近,它們之間也會(huì)進(jìn)行熱量傳遞,并很快達(dá)到熱平衡,所以片狀Real T/C KIT測(cè)量的溫度就無(wú)限接近基片真實(shí)的溫度,從而實(shí)現(xiàn)基片溫度的真實(shí)測(cè)量。

技術(shù)參數(shù):

基片尺寸

6英寸

基片基座

石英針(可選配SiC涂層石墨基座)

溫度范圍

150-1250

加熱速率

10-150/S

溫度均勻性

≤±1.5% (@800, Silicon wafer)

≤±1.0% (@800, Substrate on SiC coated graphite susceptor)

溫度控制精度

±3

溫度重復(fù)性

±3

真空度

5.0E-3 Torr / 5.0E-6 Torr

氣路供應(yīng)

標(biāo)準(zhǔn)1N2吹掃及冷卻氣路,由MFC控制(*多可選3路)

退火持續(xù)時(shí)間

35min@1250

溫度控制

快速數(shù)字PID控制

尺寸

870mm*650mm*620mm

基片類型:

? Silicon wafers硅片

? Compound semiconductor wafers化合物半導(dǎo)體基片

? GaN/Sapphire wafers for LEDs 用于LEDGaN/藍(lán)寶石基片

? Silicon carbide wafers碳化硅基片

? Poly silicon wafers for solar cells用于太陽(yáng)能電池的多晶硅基片

? Glass substrates玻璃基片

? Metals金屬

? Polymers聚合物

? Graphite and silicon carbide susceptors石墨和鍍碳化硅的石墨基座

鹵素?zé)鬜TP退火爐應(yīng)用領(lǐng)域:

離子注入/接觸退火,快速熱處理(RTP),快速退火(RTA),快速熱氧化(RTO),快速熱氮化(RTN),可在真空、惰性氣氛、氧氣、氫氣、混合氣等不同環(huán)境下使用,SiAu, SiAl, SiMo合金化,低介電材料,晶體化,致密化,太陽(yáng)能電池片鍵合等


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