粉碎設(shè)備 混合設(shè)備 分離設(shè)備 濃縮結(jié)晶設(shè)備 傳質(zhì)設(shè)備 干燥設(shè)備 反應(yīng)設(shè)備 換熱設(shè)備 制冷設(shè)備 空分設(shè)備 儲(chǔ)存設(shè)備 鍋爐|加熱設(shè)備 包裝機(jī)械 輸送設(shè)備 化工實(shí)驗(yàn)室設(shè)備
鄭州成越科學(xué)儀器有限公司
參 考 價(jià) | 面議 |
產(chǎn)品型號(hào)
品 牌
廠商性質(zhì)其他
所 在 地
化工機(jī)械設(shè)備網(wǎng)采購(gòu)部電話:0571-88918531QQ:2568841715
聯(lián)系方式:查看聯(lián)系方式
更新時(shí)間:2022-11-06 15:16:39瀏覽次數(shù):206次
聯(lián)系我時(shí),請(qǐng)告知來(lái)自 化工機(jī)械設(shè)備網(wǎng)簡(jiǎn)單介紹: 鹵素?zé)鬜TP退火爐是一款6寸片快速退火爐,采用革新的加熱技術(shù),可實(shí)現(xiàn)真正的基底溫度測(cè)量,不需要采用傳統(tǒng)快速退火爐的溫度補(bǔ)償,溫度控制**,溫度重復(fù)性高,客戶包括國(guó)際上許多半導(dǎo)體公司及科研團(tuán)隊(duì),是半導(dǎo)體制程退火工藝的理想選擇
鹵素?zé)鬜TP退火爐是一款6寸片快速退火爐,采用革新的加熱技術(shù),可實(shí)現(xiàn)真正的基底溫度測(cè)量,不需要采用傳統(tǒng)快速退火爐的溫度補(bǔ)償,溫度控制**,溫度重復(fù)性高,客戶包括國(guó)際上許多半導(dǎo)體公司及科研團(tuán)隊(duì),是半導(dǎo)體制程退火工藝的理想選擇.
? 真正的基片溫度測(cè)量,無(wú)需傳統(tǒng)的溫度補(bǔ)償
? 紅外鹵素管燈加熱
? 極其優(yōu)異的加熱溫度**性與均勻性
? 快速數(shù)字PID溫度控制
? 不銹鋼冷壁真空腔室
? 系統(tǒng)穩(wěn)定性好
? 結(jié)構(gòu)緊湊,小型桌面系統(tǒng)
? 帶觸摸屏的PC控制
? 兼容常壓和真空環(huán)境,真空度標(biāo)準(zhǔn)值為5×10-3Torr,采用二級(jí)分子泵真空度低至5×10-6Torr
? *高3路氣體(MFC控制)
? 沒(méi)有交叉污染,沒(méi)有金屬污染
真實(shí)基底溫度測(cè)量技術(shù)介紹:
如上圖,由陣列式鹵素?zé)糨椛涑鰺崃拷?jīng)過(guò)石英窗口到達(dá)樣品表面,樣品被加熱,傳統(tǒng)的快速退火爐采用熱電偶進(jìn)行測(cè)量基片溫度,由于熱電偶與基片有一定距離,測(cè)量的不是基片真實(shí)的溫度,必須進(jìn)行溫度補(bǔ)償。
鹵素?zé)?span>RTP退火爐采用專用的一根片狀的Real T/C KIT進(jìn)行測(cè)溫,如上圖,接觸測(cè)溫儀與片狀Real T/C KIT相連,工作時(shí)片狀Real T/C KIT位于樣品上方很近的位置,陣列式鹵素?zé)糨椛涑鰺崃拷?jīng)過(guò)石英窗口到達(dá)樣品表面,樣品被加熱,片狀Real T/C KIT同時(shí)被加熱,由于基片與Real T/C KIT很近,它們之間也會(huì)進(jìn)行熱量傳遞,并很快達(dá)到熱平衡,所以片狀Real T/C KIT測(cè)量的溫度就無(wú)限接近基片真實(shí)的溫度,從而實(shí)現(xiàn)基片溫度的真實(shí)測(cè)量。
技術(shù)參數(shù):
基片尺寸 | 6英寸 |
基片基座 | 石英針(可選配SiC涂層石墨基座) |
溫度范圍 | 150-1250℃ |
加熱速率 | 10-150℃/S |
溫度均勻性 | ≤±1.5% (@800℃, Silicon wafer) ≤±1.0% (@800℃, Substrate on SiC coated graphite susceptor) |
溫度控制精度 | ≤ ±3℃ |
溫度重復(fù)性 | ≤ ±3℃ |
真空度 | 5.0E-3 Torr / 5.0E-6 Torr |
氣路供應(yīng) | 標(biāo)準(zhǔn)1路N2吹掃及冷卻氣路,由MFC控制(*多可選3路) |
退火持續(xù)時(shí)間 | ≥35min@1250℃ |
溫度控制 | 快速數(shù)字PID控制 |
尺寸 | 870mm*650mm*620mm |
基片類型:
? Silicon wafers硅片
? Compound semiconductor wafers化合物半導(dǎo)體基片
? GaN/Sapphire wafers for LEDs 用于LED的GaN/藍(lán)寶石基片
? Silicon carbide wafers碳化硅基片
? Poly silicon wafers for solar cells用于太陽(yáng)能電池的多晶硅基片
? Glass substrates玻璃基片
? Metals金屬
? Polymers聚合物
? Graphite and silicon carbide susceptors石墨和鍍碳化硅的石墨基座
離子注入/接觸退火,快速熱處理(RTP),快速退火(RTA),快速熱氧化(RTO),快速熱氮化(RTN),可在真空、惰性氣氛、氧氣、氫氣、混合氣等不同環(huán)境下使用,SiAu, SiAl, SiMo合金化,低介電材料,晶體化,致密化,太陽(yáng)能電池片鍵合等
您感興趣的產(chǎn)品PRODUCTS YOU ARE INTERESTED IN
化工機(jī)械設(shè)備網(wǎng) 設(shè)計(jì)制作,未經(jīng)允許翻錄必究 .? ? ?
請(qǐng)輸入賬號(hào)
請(qǐng)輸入密碼
請(qǐng)輸驗(yàn)證碼
請(qǐng)輸入你感興趣的產(chǎn)品
請(qǐng)簡(jiǎn)單描述您的需求
請(qǐng)選擇省份
聯(lián)系方式
鄭州成越科學(xué)儀器有限公司